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ElettroRik.
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Ciao Gattmes,
premesso che queste raccomandazioni estreme le terrò buone qualora dovessero presentarsi problemi di 'disturbi' o malfunzionamenti reali (sarebbe inutile fasciarsi la testa prima), qualcosa senza fatica si potrebbe già fare:CITAZIONE (gattmes @ 19/12/2005, 14:20)
Consiglo assolutamente di mettere in parallelo secco gate-source uno zener per ogni mosfet (e quindi si può eliminare DZ2 tra punto intermedio condensatori resistenza di pilotaggio). Consiglio di mettere anche una resistenza di richiusura tipo 47k-100k nello stesso punto (così in assenza di pilotaggio i mos rimangono interdetti/aperti e non si chiudono "da soli" x qualche motivo fumando tutto...).
Questo si può fare solo saldando i 3 zener separati direttamente sul lato rame, e mettendo la R di chiusura al posto dello DZ2. A meno di inventarsi un altro Pcb.CITAZIONE
Consiglierei anche di splittare/dividere la rete di pilotaggio, ora formata da 2 condensatori 1,5uF (totale 3u) e resistenza di 2 ohm, in tre reti C-R di valore equivalente 1uF 6ohm (ok 6,8)...cosi non vi dovete preoccupare di selezionare i mosfet (funziona anche con irf840 parallelo a irf830 parallelo a irf820...scegliendo valori non bassisimi della resistenza..) e di fare le piste simmetriche perfettamente simmetriche x i 3 mos.
Ecco, questo comporta secondo me più fatica che utilità (le piste sono già quasi simmetriche, e selezionare 3 mos non è poi così un problema), perchè rifare il Pcb MONOFACCIA con le 3 reti separate MANTENENDO corte le piste, è un po' dura.... quindi lo lascierei come ultima spiaggia.CITAZIONENel totem-pole (il driver) le due basi vanno collegate assieme e va utilizzata una sola resistenza in ingresso. Questo evita di portare in "zener" la giunzione emitter-base dei 2 transistor (cioè intorno a tensioni di 5,5-6V inverse) evitando così sorprese: il.."diodo" base-emitter del PNP protegge lo zener emitter-base dello NPN, limitando la tensione a "Vforward... e viceversa (il diodo base-emitter del NPN protegge, ecc....)
Ecco qui Gattmes e OVI a confronto: 2 scuole di pensiero diverse, a quanto pare. Anch'io ero sempre partito dalle 2 basi insieme, ma soltanto perchè le ho sempre viste così... poi OVI mi ha segnalato che secondo lui sarebbe stato meglio separarle... A voi.CITAZIONE
...x Q1-Q2 non usate darlington...eventualmente prebufferate (va bene anche un CMOS 4050 o 4049 [questo occhio che inverte...]). Usate transistor a bassa tensione (da evitare esempio 2n5401 2n5550) ..di solito hanno un maggior HFE (e attenzione! ...Riferito a VCE=1V ...e non 10...che poi a 1 diventa niente!!).
Perchè non i darlington? C'è un motivo particolare? Io li ho sempre usati senza problemi... ?!CITAZIONE
1) condensatore ceramico 47...100nF tra positivo e massa del totem-pole...subito li
Altro accorgimento da usare sul lato rame...CITAZIONE
2) usate un..lago di massa a parte x il totem-pole (e x il pwm) da collegare direttamente al punto di unione dei tre source (che a sua volta deve essere il + corto possibile..eventualmente fate "viaggiare" gate e/o drain)
Dai anche un'occhiata al PCB... c'é anche quello nel post oltre allo schema. In pratica suggerisco proprio di separare (e magari inscatolare) i 2 pcb driver e power separatamente.
Qualche suggerimento per irrobustire l'alimentazione del totem-pole e/o del driver?
Edited by ElettroRik - 19/12/2005, 14:41.
Switching per la cellaCircuito per modulare l'immissione di energia in ingresso. |