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gattmes.
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Ciao
Consiglo assolutamente di mettere in parallelo secco gate-source uno zener per ogni mosfet (e quindi si può eliminare DZ2 tra punto intermedio condensatori resistenza di pilotaggio). Consiglio di mettere anche una resistenza di richiusura tipo 47k-100k nello stesso punto (così in assenza di pilotaggio i mos rimangono interdetti/aperti e non si chiudono "da soli" x qualche motivo fumando tutto...).
Consiglierei anche di splittare/dividere la rete di pilotaggio, ora formata da 2 condensatori 1,5uF (totale 3u) e resistenza di 2 ohm, in tre reti C-R di valore equivalente 1uF 6ohm (ok 6,8)...cosi non vi dovete preoccupare di selezionare i mosfet (funziona anche con irf840 parallelo a irf830 parallelo a irf820...scegliendo valori non bassisimi della resistenza..) e di fare le piste simmetriche perfettamente simmetriche x i 3 mos.
Nel totem-pole (il driver) le due basi vanno collegate assieme e va utilizzata una sola resistenza in ingresso. Questo evita di portare in "zener" la giunzione emitter-base dei 2 transistor (cioè intorno a tensioni di 5,5-6V inverse) evitando così sorprese: il.."diodo" base-emitter del PNP protegge lo zener emitter-base dello NPN, limitando la tensione a "Vforward... e viceversa (il diodo base-emitter del NPN protegge, ecc....)
Se si vuole poi irrobustire ulteriormente il totem-pole (già abbastanza protetto..) si può evitare di usare i transistor come zener (non mi riferisco al caso di prima ma parlo dello "zener comandato" collettore-emitter ...) in caso di protezione , cioè tensione in uscita al driver superiore alla alimentazione di quest'ultimo (interviene il PNP Q2..sempre se il precendente pilotaggio del pwm rimane fermo/è un po robusto) oppure inferiore alla massa (interviene il NPN Q1) ...e mettere un ulteriore zener in parallelo alla resistenza R2 in uscita verso massa. Se non ci sono distanze ragguardevoli totem-pole / mosfets la resistenza si può eliminare a vantaggio di una maggiore corrente (minima..) disponibile x i gates (lo consiglio).
...x Q1-Q2 non usate darlington...eventualmente prebufferate (va bene anche un CMOS 4050 o 4049 [questo occhio che inverte...]). Usate transistor a bassa tensione (da evitare esempio 2n5401 2n5550) ..di solito hanno un maggior HFE (e attenzione! ...Riferito a VCE=1V ...e non 10...che poi a 1 diventa niente!!).
Mi raccomando:
1) condensatore ceramico 47...100nF tra positivo e massa del totem-pole (C3)...subito li
2) usate un..lago di massa a parte x il totem-pole (e x il pwm) da collegare direttamente al punto di unione dei tre source (che a sua volta deve essere il + corto possibile..eventualmente fate "viaggiare" gate e/o drain)
Ciao
PS ricordo che il valore di Vcc del totem-pole può essere maggiore del valore del segnale del pwm (per sicurezza non superare mai 18-20V....) e in ogni caso la tensione di uscita al totem-pole (picco positivo) sarà non questa, ma quella del pwm (meno la tensione Vbe.circa 0,6V [a 25 gradi] e quacosina su Ringresso..).
Il tal caso il transistor Q1 rimane parzialmente aperto ed aumenta un pelo la sua dissipazione transitoria. Occhio che gli zener (lato gate) vanno in questo caso scenlti il più possibile simili al valore di tensione del pwm e non del driver. Lo rischivo: devono creare un corridoio dove la "pallina" di pilotaggio possa "oscillare" senza essere...clampata (quindi non devono essere minori del valore picco picco ..es 0-10V picco picco è 10...con uno zener 10V si ha un "corridoio" 10V+zener_in_inversa_come_diodo=10,5..10,6V oK!)..ma non deve essere troppo ampio da lasciare la pallina oscillare tutta verso una parete (esempio riferito a prima: Zener 15V corridoio=15,5...15,6.. cioè clamp positivo 15V e negativo -0,5...la pallina oscilla per 10, quindi potrebbe oscillare al minimo tra -0,5 e 9,5 e al massimo tra 5V e 15V...in questo caso il mos non si apre mai [5V > Vth che è tra 2 e 4V per irf840)
Edited by gattmes - 19/12/2005, 14:40.
Switching per la cellaCircuito per modulare l'immissione di energia in ingresso. |