-
ElettroRik.
User deleted
QUOTE (gattmes @ 16/12/2005, 14:25)Ciao
Io sono un...sostenitore...dei paralleli....
...
Bene, mi fa piacere che siamo arrivati alla stessa conclusione, ci speravo proprio.
E' chiaro, il concetto è "2 induttanze in parallelo = induttanza/2". E più paralleli hai meno effetti parassiti ti ritrovi (a parte un gate più 'duro' da pilotare). Inoltre dimezzi anche la Rdson, che comunque a commutazione ormai effettuata segue (in via resistiva) lo stesso ragionamento, per via della connessione Pin-Die sul source.
Viceversa, fai un po' il misterioso riquardo la carica di gate Qg....
Uhmmm, intendevi che in fase di turn-off nei 2 mos in parallelo la Qg è minore perchè la Id è la metà? Cioè la caduta Vds dici che 'pesa' così tanto?
P.S. Mi suggeriresti un buon 'parente' veloce (almeno 100khz) del classico 4N25 ?
Edited by ElettroRik - 19/12/2005, 01:49.
Switching per la cellaCircuito per modulare l'immissione di energia in ingresso. |